Plasmasysteme

 

 

 

 

 

 

 

 

 

  

ICP- PECVD

 

Leistungsmerkmale:

  • ICP Plasma-Quelle mit hohen Plasma- und Radikalendichten
  • Exzellente Uniformität der Schichtdicke
  • Kompatibel mit chemisch reaktiven und nicht-reaktiven Gasen
  • Niedrige Elektronentemperatur
  • Kundenspezifisches Design


Einsatzgebiete:

  • Kratzfeste transparente Beschichtungen bei niedrigen Temperaturen
  • Photoempfindliche und elektronisch aktive Schichten
  • Dünnschicht-Transistoren
  • Chemisch resistente Schichten
  • Plasma-Ätzen
  • Plasma-Reinigung

 

Das JE PlasmaConsult GmbH ICP-PECVD System besteht aus sechs Hauptkomponenten

  • ICP-P 200 Plasmaquelle mit integriertem, automatischen Impedanz-Anpassungsnetzwerk, montiert auf DN 250 ISO-K Flansch, sowie einem 1000 W HF -Generator (13.56 MHz).
  • beheizbarer Substrathalter BSH 150, montiert auf DN 250 ISO-K Flansch mit digitalem PID Temperaturregler.
  • Vakuumkammer inkl. Gasringen für Monomer- und Arbeitsgas, sowie Remote-Gitter.
  • Load-Lock System mit einem magnetisch gekoppelten Transporter, separater Pumpe und Pirani-Drucksensor.
  • Pumpsystem, bestehend aus einer Turbomolekularpumpe, sowie einer zweistufigen Drehschieberpumpe als Vorpumpe.
  • Gasversorgungssystem, inklusive vier Massenflussreglern und Anzeigeeinheit.

 

Technische Daten:

ICP-HF Leistungsbereich:      3 - 1000 W (cw)

ICP Frequenz:                       13.56 MHz

ICP Druckbereich:                 0.25 -100 Pa

Substrathalter-Temperatur:   max. 500°C

DC-Bias Substrathalter:         max +/- 500 V         

max. Wafergröße:                 6"       

Basisdruck:                           <10-5 mbar